教育背景

2008年9月-2013年7月 中国科学院物理研究所 硕士、博士

2004年9月-2008年8月 山东大学 物理  学士

工作履历

2021年4月-至今 清华大学信息国家研究中心  教师

2018年6月-2021年4月  北京石墨烯研究院  副研究员

2014年5月-2018年6月  清华大学微电子学所  博士后

2013年7月-2014年4月  中科院物理所-美国MagIC-中芯国际  STT-MRAM项目研究员

研究领域

（1）铁电存储、逻辑与存算融合器件与芯片

（2）柔性传感器件及芯片系统

（3）新型射频器件及系统应用

研究概况

长期从事高性能、低功耗信息功能材料及微纳电子器件，及其在存储与存算方面的应用研究，主要研究内容包括：铪基铁电存储/存算器件与芯片、柔性可穿戴传感器件与集成系统、柔性存储、处理及存算芯片系统等。以一作或通信作者身份在Nature Communications, Science Advances，Advanced Functional Materials，Nano Lertters，IEEE TED、IEEE EDL等国际知名期刊发表SCI论文80余篇。申请和授权专利35项，其中美国授权专利3项，欧洲授权专利1项，日本授权专利1项。

奖励与荣誉

（1）荣获北京市科学技术三等奖（2017）

（2）荣获北京市科学技术一等奖（2013）

学术成果

代表性论文成果：

[1] D. Li, T.-R. Cui, J.-H. Liu, W.-C. Shao, X. Liu, Z.-K. Chen, Z.-G. Xu, X. Li, S.-Y. Xu, Z. Y.Xie, J.-M. Jian, X. Wang, L. -Q. Tao, X. -M. Wu, Z.- W. Cheng, Z.-R.Dong, H. F. Liu*, Y. Yang*, J. Zhou*, T.-L. Ren*, “Motion-unrestricted dynamic electrocardiogram system utilizing imperceptible electronics”, Nature Communications, 16, 3259 (2025).

[2] A. B. Cheng, X. Li, Ding Li, Z. K. Chen, T. R. Cui, L.-Q. Tao, J. M. Jian, H. J. Xiao, W. C. Shao, Z. Y. Tang, X. Y. Li, Z. R. Dong, H. F. Liu*, Y. Yang*, T.-L. Ren*, “An intelligent hybrid-fabric wristband system enabled by thermal encapsulation for ergonomic human-machine interaction”, Nature Communications, 16, 591(2025).

[3] T. Lu, J. Y. Xue, P. H. Shen, H. F. Liu*, X. Y. Gao, X. M. Li, J. Hao, D. P. Huang, R. T. Zhao, J. L. Yan, Mingdong Yang, Bonan Yan, Peng Gao, Z. Y. Lin, Y. Yang, T.-L. Ren, “Two-dimensional fully ferroelectric-gated hybrid computing-in-memory hardware for high-precision and energy-efficient dynamic tracking”, Science Advances, 10, eadp0174 (2024).

[4] R. T. Zhao, H. F. Liu*, M. D. Yang, T. Lu, Z. R. Li, Z. Q. Shi, Z. Z. Wang, J. W. Liu, Y. Yang, and T.-L. Ren*, “Reconfigurable aJ-Level Ferroelectric Transistor-Based Boolean Logic for Logic-in-Memory”, Nano Letters 24, 10957 (2024).

[5] M. H. Shao, H. F. Liu*, Ri. He, X. M. Li, L. Wu, J. Ma, C. Ye, X. C. Hu, R. T. Zhao, Z. C. Zhong, Y. Yu, C. H. Wan, Y. Yang, C.-W. Nan, X. D. Bai*, T.-L. Ren*, and X. R. Wang*, “Programmable ferroelectricity in HZO enabled by oxygen defect engineering”, Nano Letters 24, 1231 (2024).